目前，英特尔90纳米工艺奔4处理器已经批量进入市场，这也标志着处理器跨入“100纳米至0.1纳米”的纳米时代。
5月30日，Intel Research科技分析师罗布·威洛纳表示，英特尔研发人员正考虑在未来芯片制造过程中使用碳纳米管技术。到2014年，芯片中的晶体管有可能是由碳纳米管或硅纳米电线所构成；到2020年，芯片制造技术有望实现全面的技术革新。
碳纳米管的技术变革
英特尔考虑使用碳纳米管技术，并非空穴来风。据芯片技术专家介绍，碳纳米管能实现未来芯片中的诸多功能。如某些类型的碳纳米管可以用在晶体管中取代硅，其他类型的碳纳米管能够取代连接晶体管的铜线。一般情况下，碳无法完成硅等半导体材料的功能，但经过纳米技术处理后，碳就能够取代硅。不仅如此，碳纳米管技术还可以用于解决计算机散热问题。
此前，英特尔已为此秘密制定了一项有关碳纳米管的研发项目，以期利用碳纳米管或其他纳米结构，制造出体积更小的晶体管。据悉，英特尔的这个项目由10位研发人员负责，他们将对纳米管技术进行评估。英特尔的发言人称，目前该研究项目仍处于非常基础的探索阶段，且面临着诸多基础性挑战。
目前，英特尔、IBM及其他厂家都加大了对纳米技术的研发力度。分析人士认为，尽管各大芯片制造商仍将继续使用基于硅材料的制造工艺，但今后有可能采用硅—碳混合性制造技术来增强硅芯片性能。
纳米芯片涌动市场
芯片自诞生以来，就以不断缩小工艺尺寸、不断扩大硅晶圆尺寸来提高集成的晶体管数量，从而提升芯片的性能。这也是各厂商谋求市场优势的重要手段。
今年2月，英特尔公司推出了4款用90纳米工艺批量生产的新型奔腾4处理器（先前代号为Prescott）。有消息称，6月英特尔将推出首款90纳米赛扬处理器。而这也标志着处理器已经跨入了“100纳米至0.1纳米”尺度范围内的纳米时代。
目前，英特尔和德州仪器等芯片制造商除了在90纳米处理器或内存、闪存芯片上先后出货外，均已经开始独立或者联合研发65纳米乃至更小尺寸的制造工艺，并把大规模生产65纳米芯片的日期定在了2005年。
据半导体行业协会（SIA）预测，在四到五代芯片发展之后，大概在2011年前后，今天的制造技术可能将不再能够发现先进的技术。另据《福布斯》预测，在未来的10年中，整个芯片业都将依赖于纳米技术。
2004年，IBM公司与日本东京的Toppan印刷公司合作，准备建造一条生产45纳米处理器的生产线，该生产线将于2007年投产。目前资料显示，该生产线将是世界上最早量产45纳米芯片的生产线。
而最近在北京举行的英特尔信息技术峰会上，英特尔强调了完成22纳米工艺的时间表：2007年45纳米工艺，2009年32纳米工艺，2011年22纳米工艺。
差距越拉越大？
从90纳米到65纳米，从45纳米再到22纳米，芯片正变得越来越小。但对于全球芯片产业而言，随着产品年代的发展，芯片生产的难度不断加大。芯片制造商一直努力提高产品性能，降低产品成本，但这一诉求变得越来越困难。
台积电董事长张忠谋曾分析指出，“从0.13微米至90纳米的量产，其间可能需要更长时间。”事实也正是如此，分析人士指出，实现这些新工艺的成本越来越高，许多厂商难以承担。
同时，对于大部分厂商来说，技术门槛很难一跃而过。在今年2月的国际固态电路会议（ISSCC）上，IBM、英特尔等厂商都表现出了过渡到90纳米工艺后对电流泄漏的担心。英特尔的技术策略总监Paolo Gargini表示：“如果不知道瀑布有多深，大家就会绕道而行；如果水幕只是薄薄一层，大家就会直接穿越它。”但分析人士指出，随着晶体管间连线宽度的继续减小，问题将会变得更为严重。
英特尔的研究人员也表示，芯片制造商在缩小晶体管的技术上将遇到瓶颈，7年以后，芯片制造商就会碰到22纳米的关卡，难以再往下发展，因为电流的干扰会变得更难回避。
纳米技术要在芯片产业上发挥巨大作用，也就意味着晶体管材料需要进行彻底改变，其中碳纳米管以及硅纳米线将成为必然选择。而英特尔由此将再次走到同行的前面。
